A3G1N1700MB

AMG Power

МОП-транзистор A3G1N1700MB на основе карбида кремния (SiC) представляет собой высокоэффективное решение для применения в силовых электронных устройствах. Этот компонент идеально подходит для широкого спектра приложений, включая инверторы, преобразователи и системы управления мощностью.

Максимальное напряжение сток-исток, В: 1700

Сопротивление открытого канала(мин), мОм: 5000

Ток стока номинальный при 25°C, без учет: 1

Тип корпуса: Чип