МОП-транзистор AMG60N1200MB на основе карбида кремния (SiC) представляет собой высокоэффективное решение для применения в силовых электронных устройствах. Этот компонент идеально подходит для широкого спектра приложений, включая инверторы, преобразователи и системы управления мощностью.
Максимальное напряжение сток-исток, В: 1200
Сопротивление открытого канала(мин), мОм: 45
Ток стока номинальный при 25°C, без учет: 60
Тип корпуса: Чип