A3G100N1200MB

AMG Power

МОП-транзистор A3G100N1200MB на основе карбида кремния (SiC) представляет собой высокоэффективное решение для применения в силовых электронных устройствах. Этот компонент идеально подходит для широкого спектра приложений, включая инверторы, преобразователи и системы управления мощностью.

Рекомендован для нового дизайна.

Максимальное напряжение сток-исток, В: 1200

Сопротивление открытого канала(мин), мОм: 20

Ток стока номинальный при 25°C, без учет: 100

Тип корпуса: Чип