Назад

A2GR60N650MD88

SiC, МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) поколения (Gen2), в корпусе PDFN8*8 который обеспечивает высокую производительность и надежность в различных приложениях.

Поколение: Gen2

Напряжение сток-исток, В: 650

Сопротивление открытого канала(мин), мОм: 60

Ток стока при 25°C, без учета ограничени: 36

Напряжение затвор-исток, В: 18

Корпус: PDFN8x8

Рекомендован для нового дизайна?: Да

Минимальный заказ (MOQ): 30

В упаковка (MPQ): 30

Упаковка: Tube