Назад

AMG100N1200MDS

AMG Power

SiC, МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) поколения (Gen2), в корпусе SOT227 который обеспечивает высокую производительность и надежность в различных приложениях.

Максимальное напряжение сток-исток, В: 1200

Сопротивление открытого канала(мин), мОм: 16

Ток стока номинальный при 25°C, без учет: 115

Тип корпуса: SOT227