Назад

AMG30N1200MT4

AMG Power
SiC, МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) поколения (Gen2), в корпусе TO-247-4 который обеспечивает высокую производительность и надежность в различных приложениях.

Поколение: Gen2

Максимальное напряжение сток-исток, В: 1200

Сопротивление открытого канала(мин), мОм: 80

Ток стока номинальный при 25°C, без учет: 30

Тип корпуса: TO-247-4