SiC, МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) поколения (Gen4), в корпусе TO-247-4 который обеспечивает высокую производительность и надежность в различных приложениях.
Поколение: Gen4
Максимальное напряжение сток-исток, В: 1200
Сопротивление открытого канала(мин), мОм: 20
Ток стока номинальный при 25°C, без учет: 150
Тип корпуса: TO-247-4