Назад

A4G150N1200MT4

AMG Power

SiC, МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) поколения (Gen4), в корпусе TO-247-4 который обеспечивает высокую производительность и надежность в различных приложениях.

Datasheet

Поколение: Gen4

Максимальное напряжение сток-исток, В: 1200

Сопротивление открытого канала(мин), мОм: 20

Ток стока номинальный при 25°C, без учет: 150

Тип корпуса: TO-247-4