Рекомендован для нового дизайна.
SiC, МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) поколения (Gen3), в корпусе TO-247-4 который обеспечивает высокую производительность и надежность в различных приложениях.
Поколение: Gen3
Максимальное напряжение сток-исток, В: 1700
Сопротивление открытого канала(мин), мОм: 25
Ток стока номинальный при 25°C, без учет: 100
Тип корпуса: TO-247-4