Назад

A3G30N2000MT4

AMG Power

SiC, МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) поколения (Gen3), в корпусе TO-247-4 который обеспечивает высокую производительность и надежность в различных приложениях.

Datasheet

Поколение: Gen3

Максимальное напряжение сток-исток, В: 2000

Сопротивление открытого канала(мин), мОм: 98

Ток стока номинальный при 25°C, без учет: 30

Тип корпуса: TO-247-4