SiC, МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) поколения (Gen2), в корпусе TO-247-3 который обеспечивает высокую производительность и надежность в различных приложениях.
Поколение: Gen2
Максимальное напряжение сток-исток, В: 650
Сопротивление открытого канала(мин), мОм: 15
Ток стока номинальный при 25°C, без учет: 100
Тип корпуса: TO-247-3