A2G300N1200ME3

Модуль SiC, 1,2 кВ, 300А, топология Half Bridge, корпус 62mm

Напряжение сток-исток, кВ: 1,2

Конструкция: Half Bridge

Корпус: 62mm

Ток, А: 300

Сопротивление открытого канала (мин), мО: 5,3

Тип модуля: SiC

Семейство: 1200 В SiC MOSFET модуль

Упаковка: Коробка