A2G700N1200HPDS

Модуль SiC, 1,2 кВ, 700А, топология Full bridge, корпус HPD

Напряжение сток-исток, кВ: 1,2

Конструкция: Full Bridge

Корпус: HPD

Ток, А: 700

Сопротивление открытого канала (мин), мО: 2,4

Тип модуля: SiC

Семейство: 1200 В SiC MOSFET модуль

Упаковка: Коробка