A2G800N1200MED

Модуль SiC, 1,2 кВ, 800А, топология Half Bridge, корпус Econodual

Напряжение сток-исток, кВ: 1,2

Конструкция: Half Bridge

Корпус: Econodual

Ток, А: 800

Сопротивление открытого канала (мин), мО: 2

Тип модуля: SiC

Семейство: 1200 В SiC MOSFET модуль

Упаковка: Коробка