IGBT модуль AMG820G750HPD представляет собой высокоэффективное полупроводниковое устройство, предназначенное для применения в современных системах управления электроэнергией. С максимальным напряжением коллектора 750 В и током эмиттера до 820 А, этот модуль идеально подходит для использования в промышленных инверторах, преобразователях и других силовых устройствах.
VCES (min), В: 750
IF@Ta=100*C, A: 820
Eon+Eoff, mJ: 37
Тип модуля: IGBT
Qg, мкКл: 4,4
lwh: 152x62x17 mm