IGBT модуль AMG150G1700ME3 представляет собой высокоэффективное полупроводниковое устройство, предназначенное для применения в современных системах управления электроэнергией. С максимальным напряжением коллектора 1700 В и током эмиттера до 1500 А, этот модуль идеально подходит для использования в промышленных инверторах, преобразователях и других силовых устройствах.
VCES (min), В: 1700
IF@Ta=100*C, A: 150
Eon+Eoff, mJ: 81
Тип модуля: IGBT
Qg, мкКл: 1.6
lwh: 152x62x17 mm