Назад

AMG30G1200B2K1

AMG Power

IGBT модуль AMG30G1200B2K1 представляет собой высокоэффективное полупроводниковое устройство, предназначенное для применения в современных системах управления электроэнергией. С максимальным напряжением коллектора 1200 В и током эмиттера до 40 А, этот модуль идеально подходит для использования в промышленных инверторах, преобразователях и других силовых устройствах.

VCES (min), В: 1200

IF@Ta=100*C, A: 40

Eon+Eoff, mJ: 4.29

Тип модуля: IGBT

Qg, мкКл: 0,16

lwh: 152x62x17 mm