1700 В, 200 А, 13 мОм, паразитная индуктивность 20 нГн: трехфазный SiC MOSFET-модуль от AMG POWER
AMG POWER представил трехфазный SiC MOSFET-модуль на 1700 В и 200 А с сопротивлением сток-исток в открытом состоянии 13 мОм и паразитной индуктивностью 20 нГн – A3G200N1700MEK6F. Модуль обеспечивает отсутствие тока «хвоста» при выключении MOSFET и оснащен встроенным датчиком температуры NTC.
Низкая паразитная индуктивность корпуса позволяет использовать модуль в высокочастотных преобразователях. Отсутствие тока «хвоста» при выключении MOSFET и быстрое восстановление обратного диода помогают снизить коммутационные потери. В результате можно увеличить частоту переключения и уменьшить требования к пассивным компонентам преобразователя.
Модуль рассчитан на применение в высокочастотных системах переключения, DC/DC-преобразователях, зарядных устройствах для электромобилей и сварочном оборудовании. Максимальная рабочая температура перехода составляет +150 °C, минимальная −40 °C. Изоляционное испытательное напряжение составляет 2,5 кВ. Тепловое сопротивление переход-теплоотвод не превышает 0,12 °C/Вт.
Основные технические характеристики A3G200N1700MEK6F:
напряжение сток-исток: 1700 В
постоянный ток стока: 200 А
импульсный ток стока: 400 А
сопротивление сток-исток в открытом состоянии: 13 мОм, типовое значение
паразитная индуктивность: 20 нГн
входная емкость: 12 900 пФ
энергия включения: 10,3 мДж
энергия выключения: 5,5 мДж
время обратного восстановления диода: 42 нс
встроенный датчик температуры NTC
рабочий диапазон температуры перехода: от −40 до +150 °C
AMG POWER специализируется на разработке силовых полупроводниковых приборов. Макро Групп является официальным дистрибьютором AMG POWER и гарантирует поставку оригинальной продукции.