AMG Power представил новый карбид-кремниевый MOSFET с напряжением 1700 В и током 100 А – A3G100N1700MDSK. Устройство выполнено по технологии третьего поколения SiC-MOSFET и предназначено для высокочастотных преобразователей, солнечных инверторов, промышленных приводов и систем бесперебойного питания.
Транзистор имеет низкое сопротивление канала RDS(on) 26 мОм при токе 50 А и напряжении затвора 18 В. Входная емкость Ciss составляет 6460 пФ, выходная Coss – 198 пФ, обратная передача Crss – 16 пФ. Энергия включения Eon равна 2,32 мДж, выключения Eoff – 0,78 мДж при тестовых условиях VDD=1200 В, ID=50 А.
Корпус оптимизирован с отдельным выводом драйвера источника, что упрощает параллельное включение модулей и повышает надежность управления. Тепловое сопротивление переход-корпус составляет 0,25 °C/Вт, максимальная рассеиваемая мощность – 600 Вт. Диапазон рабочих температур от -55 до +175 °C позволяет использовать транзистор в жестких условиях эксплуатации.
По сравнению с аналогичными решениями других производителей AMG Power предлагает конкурентоспособные значения RDS(on) и зарядов затвора QG 168 нКл, сохраняя простоту интеграции за счет стандартизированного корпуса и раздельного вывода истока. Это делает A3G100N1700MDSK подходящим выбором для разработчиков энергоэффективных систем среднего и высокого напряжения.