4-е поколение SiC MOSFET 1700 В, 120 А в корпусе TO-247-4L от AMG POWER
AMG POWER анонсировал выпуск 1700-вольтового SiC MOSFET четвертого поколения с током стока до 120 А и сопротивлением открытого канала 14 мОм при напряжении затвор-исток 18 В – A4G120N1700MT4L. Транзистор в корпусе TO-247-4L рассчитан на силовые системы с высокой плотностью энергии и обеспечивает высокоскоростное переключение при низких емкостях.
Конструкция корпуса предусматривает отдельный вывод источника для драйвера (Driver Source Pin). Это упрощает управление затвором и позволяет легче включать несколько транзисторов параллельно.
A4G120N1700MT4L рассчитан на работу при температуре перехода от -55 до +175 °C. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 555 Вт. Низкие динамические потери и высокая допустимая температура перехода позволяют использовать транзистор в силовых преобразователях.
Основные технические характеристики A4G120N1700MT4L
напряжение сток-исток: 1700 В
постоянный ток стока при температуре корпуса 25 °C: 120 А
постоянный ток стока при температуре корпуса 100 °C: 85 А
импульсный ток стока: 280 А
сопротивление сток-исток при напряжении затвор-исток 18 В: 14 мОм, типовое значение
рассеиваемая мощность при температуре корпуса 25 °C: 555 Вт
входная емкость: 7280 пФ
энергия включения: 1,41 мДж
энергия выключения: 1,12 мДж
рабочая температура перехода: от -55 до +175 °C
Области применения
SiC MOSFET A4G120N1700MT4L может быть востребован в следующих областях: