AMG Power анонсировала выпуск N-канального MOSFET с напряжением сток-исток 1700 В и непрерывным током стока до 100 А – A2G100N1700MT4i. Транзистор выполнен в изолированном корпусе ITO-247-4 (ISOLATION) с отдельным выводом истока для подключения драйвера.
Низкое сопротивление открытого канала RDS(on) составляет 26 мОм (тип.) при токе 50 А и напряжении затвор-исток 18 В. Входная ёмкость Ciss составляет 6460 пФ, выходная Coss 198 пФ, а ёмкость обратной передачи Crss 16 пФ. Энергия включения Eon составляет 1960 мкДж, энергия выключения Eoff 720 мкДж при напряжении сток-исток 1200 В и токе стока 50 А.
Корпус ITO-247-4 (ISOLATION) имеет отдельный вывод истока для драйвера. Такая конструкция позволяет раздельно подключать силовой исток и цепь управления затвором. Это может быть удобно при параллельном включении нескольких транзисторов и управлении их затворами.
Изолированная поверхность монтажа протестирована на электрическую прочность 2500 В (RMS) при частоте 50/60 Гц в течение 1 минуты. Тепловое сопротивление переход-корпус RθJC составляет 0,35 °C/Вт. Максимальная рассеиваемая мощность достигает 428 Вт при температуре корпуса 25 °C. Рабочий диапазон температуры перехода составляет от -55 до +175 °C.
Общий заряд затвора Qg составляет 168 нКл. Транзистор рассчитан на максимальное напряжение затвор-исток от -10 до +22 В, рекомендуемое напряжение управления составляет +18 В / -5 В. Устройство соответствует требованиям RoHS и не содержит галогенов.
MOSFET A2G100N1700MT4i предназначен для применения в тяговых электроприводах электромобилей, высоковольтных DC/DC-преобразователях, импульсных источниках питания, солнечных инверторах и системах зарядки электромобилей.
Основные технические характеристики A2G100N1700MT4i:
- тип: N-канальный MOSFET на 1700 В
- корпус: ITO-247-4 (ISOLATION) с отдельным выводом истока для драйвера
- напряжение сток-исток (VDS): 1700 В
- непрерывный ток стока (ID) при 25 °C: 100 А
- непрерывный ток стока (ID) при 100 °C: 75 А
- импульсный ток стока (IDM): 200 А
- типовое сопротивление открытого канала RDS(on): 26 мОм при VGS = 18 В, ID = 50 А, TJ = 25 °C
- типовое сопротивление открытого канала RDS(on) при 175 °C: 44 мОм
- напряжение затвор-исток (VGS): от -10 до +22 В (макс.)
- рекомендуемое напряжение управления затвором: +18 В / -5 В
- рассеиваемая мощность (PD): 428 Вт при TC = 25 °C
- тепловое сопротивление переход-корпус (RθJC): 0,35 °C/Вт
- рабочая температура перехода (TJ): от -55 до +175 °C
- изоляционное напряжение: 2500 В (RMS), 50/60 Гц, 1 мин
- общий заряд затвора (Qg): 168 нКл
- энергия включения (Eon): 1960 мкДж
- энергия выключения (Eoff): 720 мкДж
- соответствие требованиям: RoHS, без галогенов
A2G100N1700MT4i может использоваться в силовых преобразователях и других системах, где требуется коммутация напряжений до 1700 В и токов до 100 А. Изолированный корпус с отдельным выводом истока для драйвера позволяет использовать транзистор в схемах с раздельным подключением силовой и управляющей цепей.