Qatron объявил о поставках полуизолирующих подложек из карбида кремния (SiC) диаметром 200 мм (8 дюймов) с удельным сопротивлением более 10⁸ Ом·см. Подложки выпускаются в двух градациях качества: Production (для серийного производства) и Dummy (для тестирования).
Ранее Макро Групп сообщала о возможности поставок 6-дюймовых SiC-подложек Qatron. Для 8-дюймового формата производитель предлагает два варианта исполнения, различающихся строгостью требований к характеристикам и, соответственно, стоимостью.
ФОТО
Подложки предназначены для последующей эпитаксии нитрида галлия (GaN) и изготовления кристаллов мощных СВЧ-транзисторов. Использование карбида кремния в качестве подложечного материала обеспечивает эффективный отвод тепла от активной области транзистора. Это позволяет реализовать высокую плотность рассеиваемой мощности, что особенно востребовано в мощных СВЧ-усилителях.
Для обеих градаций предусмотрены одинаковые основные параметры кристаллической структуры, но требования к электрическим, механическим и поверхностным характеристикам различаются.
Основные характеристики SiC-подложек Qatron диаметром 200 мм:
Кристаллографические и электрические параметры:
Механические параметры:
Диаметр
200 ± 0,2 мм
200 ± 0,2 мм
Толщина
500 ± 0,25 мкм
500 ± 0,25 мкм
Ориентация скоса
⟨1-100⟩ ± 1°
⟨1-100⟩ ± 5°
Глубина скоса
1–1,25 мм
1–1,5 мм
Угол скоса
90 ± 5,1°
90 ± 5,1°
Локальное изменение толщины (LTV)
менее 5 мкм
менее 15 мкм
Полное изменение толщины (TTV)
менее 10 мкм
менее 20 мкм
Изгиб (Bow)
не более 25 мкм
не более 65 мкм
Коробление (Warp)
менее 35 мкм
менее 70 мкм
Параметры кристаллических дефектов и загрязнений:
Плотность микротрубок (MPD)
менее 1 шт./см²
менее 10 шт./см²
Плотность углеродных включений
менее 2 шт./см²
не нормируется
Металлические загрязнения
менее 5 × 10¹² атомов/см²
менее 5 × 10¹² атомов/см²
Области включения других политипов кристаллической решётки
отсутствуют
не нормируются
Обработка и качество поверхности:
Покрытие лицевой стороны
Si (кремний)
Si (кремний)
Обработка лицевой поверхности
Si-face CMP
Si-face CMP
Количество частиц диаметром от 0,3 мкм
менее 100 шт./пластину
не нормируется
Царапины на лицевой поверхности
менее 5 шт./пластину, суммарная длина менее диаметра подложки
менее 5 шт./пластину, суммарная длина менее диаметра подложки
Шероховатость лицевой поверхности
Ra менее 0,2 нм на площади 10 × 10 мкм
Ra менее 0,2 нм на площади 10 × 10 мкм
Обработка обратной поверхности
Si-face CMP
Si-face CMP
Царапины на обратной поверхности
менее 5 шт./пластину, суммарная длина менее двух диаметров подложки
менее 5 шт./пластину, суммарная длина менее двух диаметров подложки
Шероховатость обратной поверхности
Ra менее 0,2 нм на площади 10 × 10 мкм
Ra менее 0,2 нм на площади 10 × 10 мкм
Подложки поставляются в азотной или вакуумной упаковке. Доступны варианты упаковки в индивидуальные кассеты или кассеты на несколько подложек.
SiC-подложки Qatron могут использоваться российскими разработчиками и производителями мощных СВЧ-транзисторов, в том числе для создания усилителей мощности, применяемых в телекоммуникационном оборудовании, радиолокационных системах и другой СВЧ-аппаратуре.
Предложение подложек диаметром 200 мм расширяет доступные российским предприятиям варианты закупки материалов для производства мощных СВЧ-полупроводниковых приборов. Они могут рассматриваться как альтернатива продукции CREE, поставки которой на российский рынок прекратились в 2014 году, а также другим доступным аналогам китайского производства.
Производство подложек осуществляет лаборатория структуры CETC (China Electronics Technology Group Corporation, Китайская группа электронных технологий). Производитель заявляет о соответствии качества продукции внутренним государственным стандартам CETC.
Макро Групп является официальным поставщиком продукции Qatron в России. За дополнительной технической информацией, уточнением характеристик и заказом образцов обращайтесь к специалистам Макро Групп через форму «Задать вопрос» на сайте или по телефону 8 800 333-06-05.