1200V SiC SBD 10A, в корпусе TO-220C-2L
Максимальное обратное напряжение диода,: 1200
Ток, А: 10
Поколение: Gen4
Прямое падение напряжения V(type), В: 1,4
Суммарная рассеиваемая мощность P(TOT),: 166
Тип корпуса: TO-220C-2L
Квалификация: Промышленный
Рекомендован для нового дизайна?: Да