650V SiC SBD 10A, в корпусе TO-263-2
Максимальное обратное напряжение диода,: 650
Ток, А: 10
Поколение: Gen4
Прямое падение напряжения V(type), В: 1,27
Суммарная рассеиваемая мощность P(TOT),: 150
Тип корпуса: TO-263-2
Квалификация: Промышленный
Рекомендован для нового дизайна?: Да