1200V SiC SBD 10A, в корпусе TO-252
Максимальное обратное напряжение диода,: 1200
Ток, А: 10
Поколение: Gen4
Прямое падение напряжения V(type), В: 1,4
Суммарная рассеиваемая мощность P(TOT),: 125
Тип корпуса: TO-252
Квалификация: Промышленный
Рекомендован для нового дизайна?: Да