650V SiC SBD 4A, в корпусе TO-252
Максимальное обратное напряжение диода,: 650
Ток, А: 4
Поколение: Gen4
Прямое падение напряжения V(type), В: 1,28
Суммарная рассеиваемая мощность P(TOT),: 60
Тип корпуса: TO-252
Квалификация: Промышленный
Рекомендован для нового дизайна?: Да
