1200V SiC SBD 20A, в корпусе TO-263-2
Максимальное обратное напряжение диода,: 1200
Ток, А: 20
Поколение: Gen4
Прямое падение напряжения V(type), В: 1,4
Суммарная рассеиваемая мощность P(TOT),: 250
Тип корпуса: TO-263-2
Квалификация: Промышленный
Рекомендован для нового дизайна?: Да