650V SiC SBD 30A, в корпусе TO-263-2
Максимальное обратное напряжение диода,: 650
Ток, А: 30
Поколение: Gen4
Прямое падение напряжения V(type), В: 1,3
Суммарная рассеиваемая мощность P(TOT),: 250
Тип корпуса: TO-263-2
Квалификация: Промышленный
Рекомендован для нового дизайна?: Да