1200V SiC SBD 2A, в корпусе TO-252
Максимальное обратное напряжение диода,: 1200
Ток, А: 2
Поколение: Gen4
Прямое падение напряжения V(type), В: 1,55
Суммарная рассеиваемая мощность P(TOT),: 58
Тип корпуса: TO-252
Квалификация: Промышленный
Рекомендован для нового дизайна?: Да