Назад

A2G100N1200EP

Модуль SiC MOSFET A2G100N1200EP представляет собой высокоэффективное решение для современных силовых приложений, обеспечивая отличные характеристики производительности и надежности. Этот модуль предназначен для использования в различных областях, включая преобразователи энергии, инверторы и электромобили.

Напряжение сток-исток, кВ: 1,2

Конструкция: Half Bridge

Корпус: EasyPIM

Ток, А: 100

Сопротивление открытого канала (мин), мО: 16

Тип модуля: SiC

Семейство: 650 В SiC MOSFET модуль

Упаковка: Коробка