Назад

A2G1000N1700HPD

Модуль SiC MOSFET A2G1000N1700HPD представляет собой высокоэффективное решение для современных силовых приложений, обеспечивая отличные характеристики производительности и надежности. Этот модуль предназначен для использования в различных областях, включая преобразователи энергии, инверторы и электромобили.

Напряжение сток-исток, кВ: 1,7

Конструкция: Full Bridge

Корпус: HPD

Ток, А: 1000

Сопротивление открытого канала (мин), мО: 1,5

Тип модуля: SiC

Семейство: 1700 В SiC MOSFET модуль

Упаковка: Коробка